| Наименование РИД |
Источник тока на биполярном p-n-p транзисторе
|
| Реферат |
Изобретение относится к области импульсной техники, а более конкретно, к источникам тока, и может быть использовано для формирования импульсов тока различной длительности в диапазоне амплитуд от 10 мкА до 30 мА. В устройство введены входная управляющая линия, калибровочный резистор, калибровочный конденсатор, подстроечный резистор, переключатель режима работы устройства с двумя группами переключающих контактов на два положения. Так же устройство содержит выходную линию, трансимпедансный усилитель, содержащий операционный усилитель и резисторы обратной связи сопротивлением 100 Ом, 1 кОм, 10 кОм и 100 кОм. Так же введен переключатель коэффициента преобразования трансимпедансного усилителя на четыре положения. Достигаемым техническим результатом является устранение высокоамплитудных выбросов тока по каждому фронту импульсов управляющего напряжения в широком диапазоне амплитуд импульсов тока.
|
| Возможные направления использования |
может быть использовано для формирования импульсов тока различной длительности в диапазоне амплитуд от 10 мкА до 30 мА.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
6
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-10-07T14:44:28.581553+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Андреева Наталья Владимировна
|
| Руководитель организации |
Семенов Александр Анатольевич
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
125022802988-9
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625102100196-1, 2025-10-21 19:17:07 UTC
|
| ОКПД |
Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
|
| Ключевые слова |
нейроморфные вычисления; биполярный p-n-p транзистор; Источник тока; аппаратно-интегральное проектирование
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "ЛЭТИ" ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)"
|
| Авторы |
Мазинг Дмитрий Сергеевич; Андреева Наталья Владимировна; Рындин Евгений Адальбертович
|
| Коды тематических рубрик |
28.23.37 - Нейронные сети; 29.19.22 - Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры; 29.19.16 - Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела; 28.23.33 - Аппаратная реализация интеллектуальных систем
|
| OESR |
Нано-процессы [применение на наноуровне]; (биоматериалы относятся к разделу 2.9)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
Отсутствует
|
