Интегральная схема мостового каскада на основе силовых нитрид галлиевых транзисторов

Наименование РИД	Интегральная схема мостового каскада на основе силовых нитрид галлиевых транзисторов
Реферат	ИМС рассчитана для работы с напряжением до 650 В и током до 45 А и используется в приборах преобразования электрической энергии и устройствах управления электродвигателями. Область применения: в схемах управления компрессорами и насосами, приводами поворотных механизмов, лифтов, грузоподъемных и передвижных кранов, двигателями электротранспорта разного рода, включая электромобили, трамваи, электровозы, летальные аппараты, надводные и подводные суда, в схемах преобразователей напряжения. Изготовление: согласно технологическому процессу с проектной нормой 250 нм. Рисунок состоит из четырех слоев металлизации, соединенных между собой двумя слоями переходных отверстий. Конструктивные параметры ИМС определены для реализации на эпитаксиальной гетероструктуре p-GaN/AlGaN/GaN. ИМС реализована с помощью четырех полевых транзисторов нормально-закрытого типа. Последовательное расположение двух транзисторов образует полумостовой каскад с силовым выводом в точке соединения истока одного транзистора со стоком второго. Параллельное соединение двух полумостовых каскадов образует мостовой каскад с двумя силовыми выводами. ИМС имеет восемь выводов: два для напряжения питания, два для выходного напряжения и четыре для управления состояниями полевых транзисторов. Истоки транзисторов, расположенные на поверхности гетероструктуры, со всех сторон на плоскости охвачены замкнутой геометрией затворов, что обеспечивает полное запирание транзисторов. Затворы размещены на слое p-GaN для формирования транзисторов нормально-закрытого типа. Высокая напряженность электрических полей, возникающая на краях затворов, подавлена экранирующими электродами, соединёнными с истоком. ИМС занимает площадь не более 10,1 × 9,4 мм.
Возможные направления использования	Основным назначением интегральной схемы мостового каскада на основе силовых нитрид галлиевых транзисторов, рассчитанной для работы с напряжением до 650 В и током до 45 А, является использование в приборах преобразования электрической энергии и устройствах управления электродвигателями. Интегральная схема может применяться в схемах управления компрессорами и насосами, приводами поворотных механизмов, лифтов, грузоподъемных и передвижных кранов, двигателями электротранспорта разного рода, включая электромобили, трамваи, электровозы, летальные аппараты, надводные и подводные суда, а также в схемах преобразователей напряжения.
Количество опытных образцов	0
Количество просмотров	7
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[{"last_status": {"created_date": "2025-11-28T20:45:15.292277+00:00", "registration_number": "825112800172-5", "status": {"name": "Подтверждена"}}, "copyright_protections": [{"protection_way": {"name": "Осуществлена государственная регистрация"}}]}]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-10-30T07:57:57.717459+00:00
Предполагаемый тип результата	Топология интегральных микросхем
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Царик Константин Анатольевич
Руководитель организации	Дронов Алексей Алексеевич
Регистрационный номер НИОКТР	125060506794-7
Последний статус	Подтверждена, 625111200029-3, 2025-11-12 06:33:29 UTC
ОКПД	Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
Ключевые слова	нитрид галлия; силовой GaN транзистор; мостовой каскад; наногетероструктура
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Авторы	Царик Константин Анатольевич; Лашков Андрей Витальевич; Петухов Владимир Александрович; Никитин Константин Германович; Чуканова Ольга Борисовна; Курбанбаева Диана Мамаевна
Коды тематических рубрик	47.14.07 - Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники; 47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
OESR	Нано-процессы [применение на наноуровне]; (биоматериалы относятся к разделу 2.9)
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;