| Наименование РИД |
Способ изготовления полупроводникового прибора
|
| Реферат |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ изготовления полупроводниковых приборов на кремниевых подложках, включающий процессы формирования областей стока, истока, затвора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что подзатворный диэлектрик создают путем последовательного формирования слоя оксида кремния толщиной 30 нм термическим окислением кремниевой подложки при температуре 1100°С в сухом О2 с добавкой 4% HCI, со скоростью роста 2 нм/с и слоя нитрида кремния толщиной 30 нм осаждением из смеси гидразина (N2H4) и силана (SiH4) при температуре подложки 300°С, давлении SiH4 17 Па, со скоростью роста нитрида кремния 1,4 нм/с, с последующим отжигом в окисляющей среде при температуре 1050°С в течение 30 мин. Изобретение обеспечивает снижение дефектности подзатворного диэлектрика, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов.
|
| Возможные направления использования |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования подзатворного диэлектрика с пониженной дефектностью.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
4
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-11-28T14:20:55.090669+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
|
| Руководитель работы |
Хасанов Асламбек Идрисович
|
| Руководитель организации |
Саидов Заурбек Асланбекович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
—
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625120100103-3, 2025-12-01 11:51:13 UTC
|
| ОКПД |
Нет
|
| Ключевые слова |
оксид кремния; диэлектрик; кремниевые подложки
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
|
| Авторы |
Хасанов Асламбек Идрисович
|
| Коды тематических рубрик |
29.19.31 - Полупроводники
|
| OESR |
Физика жидкости, газа и плазмы (включая физику поверхностей)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
б) переход к экологически чистой и ресурсосберегающей энергетике, повышение эффективности добычи и глубокой переработки углеводородного сырья, формирование новых источников энергии, способов ее передачи и хранения;
|
