| Наименование РИД |
Способ изготовления силицида тантала
|
| Реферат |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления силицида тантала. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), удельным сопротивлением 10 Ом⋅см, после формирования областей стока/истока и осаждения слоя подзатворного диэлектрика полевого транзистора формируют силицид тантала толщиной 250 нм из многослойной структуры путем осаждения пленки тантала и Si при температуре подложки 100°С, со скоростью роста 0,5 нм/с. Толщина каждого слоя составляет 3-10 нм. Первые три слоя легируют кислородом добавлением 10% О2 в атмосфере аргона для предотвращения взаимодействия силицида с диоксидом кремния. Затем структуру подвергают термообработке при температуре 900°С в течение 60 мин в атмосфере аргона. Изобретение обеспечивает снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
|
| Возможные направления использования |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления силицида тантала с пониженным значением контактного сопротивления.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
2
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-11-28T15:29:00.199913+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
|
| Руководитель работы |
Хасанов Асламбек Идрисович
|
| Руководитель организации |
Саидов Заурбек Асланбекович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
—
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625120100104-0, 2025-12-01 11:51:22 UTC
|
| ОКПД |
Нет
|
| Ключевые слова |
транзистор; слой подзатворного диэлектрика; полупрводники
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
|
| Авторы |
Хасанов Асламбек Идрисович
|
| Коды тематических рубрик |
29.19.31 - Полупроводники
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
б) переход к экологически чистой и ресурсосберегающей энергетике, повышение эффективности добычи и глубокой переработки углеводородного сырья, формирование новых источников энергии, способов ее передачи и хранения;
|
