| Наименование РИД |
Способ очистки стенок сквозных отверстий для транзисторов и МИС на основе гетероструктур нитрида галлия на пластинах кремния
|
| Реферат |
Разработанное ноу-хау относится к области микроэлектроники и может быть успешно использовано в технологии изготовления СВЧ транзисторов и МИС на основе нитрида галлия на пластинах кремния. Ноу-хау позволяет реализовать простой, быстрый и эффективный способ очистки стенок сквозных отверстий после глубокого травления кремния и повысить уровень выхода годных металлизации сквозных отверстий до более 95%.
|
| Возможные направления использования |
Ноу-хау может использоваться при создании монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия для современных систем радиолокации, систем РЭР/РЭБ, а так же телекоммуникации и систем связи 5G.
|
| Количество опытных образцов |
0
|
| Количество просмотров |
3
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-11-01T12:04:32.525555+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Секрет производства (ноу хау)
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
Правительство Российской Федерации
|
| Руководитель работы |
Гурович Борис Аронович
|
| Руководитель организации |
Алексеева Ольга Анатольевна
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
123061500018-9
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625120300279-3, 2025-12-03 12:14:59 UTC
|
| ОКПД |
Приборы полупроводниковые и их части
|
| Ключевые слова |
транзистор; СВЧ; МИС; Нитрид галлия
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
|
| Авторы |
Куликов Иван Валерьевич; Андреев Александр Александрович; Мамичев Дмитрий Александрович; Грищенко Юлия Викторовна; Черных Игорь Анатольевич; Занавескин Максим Леонидович; Черных Мария Яхяевна
|
| Коды тематических рубрик |
47.33.31 - Интегральные микросхемы; 47.09.29 - Полупроводниковые материалы; 47.33.37 - Приборы функциональной микроэлектроники
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость); Нано-материалы [производство и свойства]; Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
