Способ коммутации высокотемпературных термоэлементов

Наименование РИД	Способ коммутации высокотемпературных термоэлементов
Реферат	Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано для коммутации секций, изготовленных из разных термоэлектрических материалов (ТЭМ), в составных многосекционных высокотемпературных термоэлементах (ТЭ), используемых в термоэлектрических генераторах. Предложен способ коммутации высокотемпературных термоэлементов, ветви которых состоят из нескольких секций, одна из которых изготавливается из ТЭМ на основе SiGe, другие из ТЭМ на основе PbTe или GeTe, с помощью соединения Ni-In. Перед нанесением металлических контактных слоев поверхности секций ТЭМ подвергают механической обработке до шероховатости, не превышающей толщины формируемых слоев, затем проводят химическую обработку поверхности, для PbTe в 30% растворе HNO3 и для SiGe в 5% растворе NH4HF2 при комнатных температурах, для GeTe в 30% NaOH при температуре 45-60°С. На обработанные поверхности секций ТЭМ наносят барьерные слои Mo методом магнетронного распыления толщиной 200 - 300 нм, затем наносят слои Ni методом химического осаждения в составе соединения Ni-P из раствора NiCl2×6H2O; 23 г/л; NaH2PO2 35 г/л; NH4Cl 50 г/л; NH4OH 50 мл/л; Na3C6H5O7 96 г/л; NaNO3 0.05 г/л при pH 8-9 и температуре 80-90°С, после чего на одну из секций наносят слой In методом магнетронного напыления, при этом соотношение толщин осаждённых слоёв Ni-P и In должно быть (20÷120) к 1, после чего проводят бондинг секций с нанесёнными слоями при давлении 9,0 - 11,0 МПа и температуре 550 - 600°С, с образованием твёрдого раствора In-Ni. Предложенный способ позволяет получать механически прочные, термостабильные коммутационные соединения секций, изготовленных из SiGe, PbTe и GeTe в высокотемпературном многосекционном ТЭ. Соединения обладают временной термической стабильностью при температурах до 900 °С, сохраняя низкие значения удельного сопротивления, удельного контактного сопротивления и высокую адгезионную прочность.
Возможные направления использования	Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может быть использовано для коммутации секций в производстве многосекционных термоэлементов.
Количество опытных образцов	5
Количество просмотров	3
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[{"last_status": {"created_date": "2025-12-23T20:35:27.317945+00:00", "registration_number": "825122300146-0", "status": {"name": "Подтверждена"}}, "copyright_protections": [{"protection_way": {"name": "Осуществлена государственная регистрация"}}]}]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-11-14T10:52:38.164609+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	Российский научный фонд
Руководитель работы	Шерченков Алексей Анатольевич
Руководитель организации	Дронов Алексей Алексеевич
Регистрационный номер НИОКТР	121060400065-9
Последний статус	Подтверждена, 625121000131-4, 2025-12-10 09:03:51 UTC
ОКПД	Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
Ключевые слова	химическое осаждение; магнетронное напыление; контакт; контактное сопротивление; адгезионная прочность
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Авторы	Шерченков Алексей Анатольевич; Штерн Максим Юрьевич; Штерн Юрий Исаакович; Корчагин Егор Павлович; Рогачев Максим Сергеевич; Пепеляев Дмитрий Валерьевич; Козлов Александр Олегович
Коды тематических рубрик	47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
OESR	Материаловедение
Приоритеты научно-технического развития	б) переход к экологически чистой и ресурсосберегающей энергетике, повышение эффективности добычи и глубокой переработки углеводородного сырья, формирование новых источников энергии, способов ее передачи и хранения;