| Наименование РИД |
Способ тестирования чипов на основе полупроводниковых структур Al-Ga-In-As-P и устройство для его осуществления
|
| Реферат |
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества полупроводниковых чипов на основе полупроводниковых структур Al-Ga-In-As-P. Способ тестирования чипов на основе соединений Al-Ga-In-As-P включает облучение участка поверхности тестируемого чипа лазерным излучением с длиной волны (0,801÷0,809) мкм, направление возникающего фотоэлектролюминесцентного излучения на фотоприемник, имеющий фоточувствительность к излучению с длиной волны более 0,91 мкм, измерение интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучения Ipl, построение зависимости интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучения от температуры Ipl(T), определение неизменяющихся значений интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучен Iplconst, расчет значений внутренней квантовой эффективности IQE = Ipl /Iplconst полупроводникой структуры.
Устройство для тестирования содержит лазер с длиной волны излучения 0,801÷0,809 мкм, оптическую систему, объектив, спектрофотометр, фоточувствительный к излучению с длинами волн более 0,91 мкм, вакуумный термостат с оптическим окном, держателем для размещения тестируемых чипов и термоконтроллером, обеспечивающим изменения и поддержание температуры тестируемых чипов. Фотоприемник и термоконтроллер подключены к блоку управления, содержащему компьютер.
Технический результат - разработка такого бесконтактного способа тестирования полупроводниковых чипов на основе соединений Al-Ga-In-As-P и устройства для его осуществления, которые бы позволили определять значения величин внутренней квантовой эффективности излучения полупроводниковой структуры чипов, что позволяет определить и разделить причины снижения внешней квантовой эффективности чипов и дает возможность для их устранения и увеличения эффективности излучения и повышение качества чипов на основе полупроводниковых структур.
|
| Возможные направления использования |
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для тестирования и отбора полупроводниковых чипов, на основе полупроводниковых структур Al-Ga-In-As-P, в частности с квантовыми ямами, для производства высокоэффективных излучателей.
|
| Количество опытных образцов |
0
|
| Количество просмотров |
3
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-11-26T14:24:00.688414+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Шаров Владислав Андреевич
|
| Руководитель организации |
Иванов Сергей Викторович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
125051406040-4
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625121500488-4, 2025-12-15 14:21:56 UTC
|
| ОКПД |
Электроэнергия, произведенная солнечными электростанциями
|
| Ключевые слова |
квантовые ямы; полупроводниковый чип; тестирование чипов; структуры Al-Ga-In-As-P; внешняя квантовая эффективность
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
|
| Авторы |
Малевский Дмитрий Андреевич; Малевская Александра Вячеславовна; Давидюк Николай Юрьевич; Покровский Павел Васильевич; Минтаиров Михаил Александрович
|
| Коды тематических рубрик |
44.41.35 - Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
|
| OESR |
Энергетика и топливо
|
| Приоритеты научно-технического развития |
б) переход к экологически чистой и ресурсосберегающей энергетике, повышение эффективности добычи и глубокой переработки углеводородного сырья, формирование новых источников энергии, способов ее передачи и хранения;
|
