| Наименование РИД |
Способ изготовления полупроводникового прибора
|
| Реферат |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления барьерного слоя с пониженным значением плотности дефектов.
Технология способа состоит в следующем: на подложки p-InGaAs формируют слой Ni2P толщиной 100 нм магнетронным распылением в атмосфере аргона при давлении 10-5 Па, со скоростью 1,2 нм/с, при напряжении 400 В и токе 0,7 А, с последующим отжигом в смеси газов (N2+ 15% Н2) при температуре 400°С, в течение 30 мин.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования барьерного слоя нанесением пленок Ni2P толщиной 100 нм на подложки p-InGaAs магнетронным распылением в атмосфере аргона при давлении 10-5 Па, со скоростью 1,2 нм/с, при напряжении 400 В и токе 0,7 А, с последующим отжигом в смеси газов (N2+15% Н2) при температуре 400°С, в течение 30 мин, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
|
| Возможные направления использования |
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования барьерного слоя нанесением пленок Ni2P толщиной 100 нм на подложки p-InGaAs магнетронным распылением в атмосфере аргона при давлении 10-5 Па, со скоростью 1,2 нм/с, при напряжении 400 В и токе 0,7 А, с последующим отжигом в смеси газов (N2+15% Н2) при температуре 400°С, в течение 30 мин, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
|
| Количество опытных образцов |
4
|
| Количество просмотров |
3
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-12-24T12:14:38.796801+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Гаев Дахир Сайдуллахович
|
| Руководитель организации |
Альтудов Юрий Камбулатович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
125071608538-0
|
| Последний статус |
Подтверждена, 626011200837-6, 2026-01-12 13:01:05 UTC
|
| ОКПД |
Нет
|
| Ключевые слова |
кремний; подзатворный диэлектрик; полупроводниковые приборы; подзатворный оксидный слои
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Х. М. БЕРБЕКОВА"
|
| Авторы |
Мустафаев Гасан Абакарович
|
| Коды тематических рубрик |
47.33.37 - Приборы функциональной микроэлектроники
|
| OESR |
Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
Отсутствует
|
