Способ изготовления элементов микроэлектромеханических систем на основе ниобата и танталата лития

Наименование РИД	Способ изготовления элементов микроэлектромеханических систем на основе ниобата и танталата лития
Реферат	Изобретение относится к области микроэлектроники и микросистемной техники, а именно к способам утонения элементов для микроэлектромеханических систем (МЭМС) на основе ниобата лития (LiNbO3, LN) и танталата лития (LiTaO3, LT), и может быть использовано для создания чувствительных и высокостабильных микроэлектромеханических датчиков и резонаторов, включая биморфные мембраны, консольные и камертонообразные элементы, а также акусто- и оптоэлектронные устройства. Техническим результатом, на достижение которого направлено заявленное изобретение, является обеспечение быстрого и технологичного утонения толстых монокристаллических пластин ниобата и танталата лития, совместимого с планарной МЭМС-технологией, с получением микроэлектромеханических элементов малой толщины и низкой шероховатости поверхности при сохранении исходной сегнетоэлектрической доменной структуры и монокристаллического совершенства материала. Технический результат достигается за счет реализации способа изготовления элементов микроэлектромеханических систем на основе ниобата и танталата лития, отличающийся проведением восстановительного отжига в печи пластин из оксидного сегнетоэлектрического материала в бескислородной атмосфере при давлении не более 2 Па и температуре 600-1100°С в течение 4 часов, затем осуществляют локальное лазерное утонение восстановленного кристалла с помощью импульсного лазерного источника ближнего инфракрасного диапазона спектра со средней выходной мощностью излучения не менее 10 Вт с частотой импульсов 10-50 кГц с линейной скоростью 100 мм/с, далее кристалл подвергают окислительному отжигу при температуре 400°С в течение 1 часа.
Возможные направления использования	Новые материалы и инновационные технологии
Количество опытных образцов	0
Количество просмотров	2
Наличие дополнительных файлов	True
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-12-22T09:22:29.039846+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Киселев Дмитрий Александрович
Руководитель организации	Босова Елена Владимировна
Регистрационный номер НИОКТР	124020900014-3
Последний статус	Подтверждена, 626011201021-8, 2026-01-12 14:28:56 UTC
ОКПД	Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области прочих естественных наук, прочие, не включенные в другие группировки
Ключевые слова	ниобат лития; тантал лития\МЭМС; утонение; восстановительный отжиг
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИСИС"
Авторы	Манзов Андрей Андреевич; Куц Виктор Викторович; Максумова Эвелина Эдуардовна; Иванов Владимир Павлович; Пархоменко Юрий Николаевич; Малинкович Михаил Давидович; Темиров Александр Анатольевич; Турутин Андрей Владимирович; Кубасов Илья Викторович; Кислюк Александр Михайлович
Коды тематических рубрик	29.19.22 - Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры; 47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники; 29.33.47 - Воздействие лазерного излучения на вещество; 29.19.35 - Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики
OESR	Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;