| Наименование РИД |
Способ изготовления полупроводникового прибора
|
| Реферат |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры с пониженными значениями токов утечек.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора, путем формирования на пластине кремния р- типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см тонкого слоя пористого кремния толщиной 7нм анодированием при плотности тока 50 мА/см2 в растворе HF:С2Н5ОН:Н2О в соотношении 1:1:1 со скорости роста пористой пленки 0,5 нм/с и проведения стабилизацию структуры пористого слоя отжигом при температуре 310°С в сухом азоте в течение 5минут , позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличения процента выхода годных приборов.
|
| Возможные направления использования |
снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
|
| Количество опытных образцов |
4
|
| Количество просмотров |
2
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-12-30T12:28:44.903994+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Гаев Дахир Сайдуллахович
|
| Руководитель организации |
Альтудов Юрий Камбулатович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
123120100003-3
|
| Последний статус |
Подтверждена, 626011300091-1, 2026-01-13 06:01:30 UTC
|
| ОКПД |
Услуги (работы), связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области технических наук и в области технологий, прочие, не включенные в другие группировки, кроме биотехнологии
|
| Ключевые слова |
полупроводниковые приборы; кремнии; оксид кремния
|
| Исполнители |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова"
|
| Авторы |
Мустафаев Гасан Абакарович
|
| Коды тематических рубрик |
47.33.37 - Приборы функциональной микроэлектроники
|
| OESR |
Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
