Способ изготовления полупроводникового прибора
| Наименование РИД | Способ изготовления полупроводникового прибора |
|---|---|
| Реферат | Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям. Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования над тонким затворным оксидом слоя окиси алюминия толщиной 70-80 нм электронно-лучевым распылением при напряжении электронной пушки 5,5 кВ, расстояние между источником и подложкой 20 см; со скоростью осаждения 0,5нм/с, давлении газов в вакуумной системе 2 • 10-5 мм рт. ст. и температуре подложки при напылении 100°- 200°С. с последующим термообработкой в течение 5 мин. при температуре 700°С в атмосфере азота, позволяет повысить процент выхода годных, улучшить их качество и надежность. |
| Возможные направления использования | Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования над тонким затворным оксидом слоя окиси алюминия толщиной 70-80 нм электронно-лучевым распылением при напряжении электронной пушки 5,5 кВ, расстояние между источником и подложкой 20 см; со скоростью осаждения 0,5нм/с, давлении газов в вакуумной системе 2 • 10-5 мм ртст. и температуре подложки при напылении 100°- 200°С. с последующим термообработкой в течение 5 мин. при температуре 700°С в атмосфере азота, позволяет повысить процент выхода годных, улучшить их качество и надежность. |
| Количество опытных образцов | 4 |
| Количество просмотров | 5 |
| Наличие дополнительных файлов | False |
| Использование РИД правообладателем | False |
| Внешнее использование РИД | False |
| НИОКТР (JSON) | {} |
| ИКСИ (JSON) | [] |
| ИКСПО (JSON) | [] |
| ОЭСР (JSON) | [] |
| Дата первого статуса | 2025-12-24T13:28:57.333915+00:00 |
| Предполагаемый тип результата | Изобретение |
| Ожидаемая роль | Исполнитель |
| Заказчик | МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ |
| Руководитель работы | Гаев Дахир Сайдуллахович |
| Руководитель организации | Альтудов Юрий Камбулатович |
| Регистрационный номер НИОКТР | 125071608538-0 |
| Последний статус | Подтверждена, 626011300092-8, 2026-01-13 06:01:41 UTC |
| ОКПД | Нет |
| Ключевые слова | полупроводниковые приборы; полевой транзистор; окись алюминия; термообработка |
| Исполнители | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Х. М. БЕРБЕКОВА" |
| Авторы | Мустафаев Гасан Абакарович |
| Коды тематических рубрик | 47.33.37 - Приборы функциональной микроэлектроники |
| OESR | Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | Отсутствует |