| Наименование РИД |
Способ изготовления диэлектрической изоляции
|
| Реферат |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диэлектрической изоляции с низкими токами утечек.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления диэлектрической изоляции путем формирования на подложке кремния области пористого кремния в электролите содержащем фтористоводородную кислоту и этиленгликоль в соотношении (3:5), при плотности тока 35мА/см2 ,с последующим последовательным окислением слоев пористого Si сначала при потоке кислорода 32⋅10-6 м3/с и температуре 300°С в течение 20 мин, а затем высокотемпературным окислением при температуре 1000°С в атмосфере сухого, влажного, снова сухого кислорода при расходе газа 1.9⋅10-5 м3/с в течение 20, 40 и 15 мин соответственно, позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность.
Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
|
| Возможные направления использования |
снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
|
| Количество опытных образцов |
4
|
| Количество просмотров |
2
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-12-30T12:12:15.401213+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Гаев Дахир Сайдуллахович
|
| Руководитель организации |
Альтудов Юрий Камбулатович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
123120100003-3
|
| Последний статус |
Подтверждена, 626011300093-5, 2026-01-13 06:01:53 UTC
|
| ОКПД |
Услуги (работы), связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области технических наук и в области технологий, прочие, не включенные в другие группировки, кроме биотехнологии
|
| Ключевые слова |
структуры; ток; диэлектрическая изоляция; полупроводниковый прибор
|
| Исполнители |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова"
|
| Авторы |
Мустафаев Гасан Абакарович
|
| Коды тематических рубрик |
47.33.37 - Приборы функциональной микроэлектроники
|
| OESR |
Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
