Гетероэпитаксиальная структура для изготовления полупроводниковых приборов

Наименование РИД	Гетероэпитаксиальная структура для изготовления полупроводниковых приборов
Реферат	Полезная модель относится к полупроводниковым приборам. Гетероэпитаксиальная структура для изготовления полупроводниковых приборов содержит: подложку кремния; расположенный на рабочей поверхности подложки кремния полученный нитридизацией рабочей поверхности подложки кремния кристаллический слой SiN в составе не более двух монослоев SiN; эпитаксиально выращенный зародышевый слой AlN, расположенный на слое SiN; расположенный на зародышевом слое AlN буферный слой, который выполнен из AlxGa1-xN, с понижением по его толщине в направлении от подложки мольной доли x в отношении Al от единицы - мольной доли, соответствующей зародышевому слою AlN, до нуля - мольной доли, соответствующей приборному слою GaN. Поверхность буферного слоя предназначена для эпитаксиального формирования А3-нитридного широкозонного приборного слоя. Технический результат выражается в снижении при использовании гетероэпитаксиальной структуры для эпитаксиального формирования А3-нитридного широкозонного приборного слоя его дефектности, обусловленной растрескиванием, вплоть до полного устранения. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
Возможные направления использования	Разработка гетероэпитаксиальной структуры для изготовления полупроводниковых приборов направлена на решение технической проблемы интеграции А3-нитридных технологий в кремниевую микроэлектронику, снижения затратности выпуска массовым производством изделий микроэлектроники и повышения процента выхода годных изделий при использовании разработанной гетероэпитаксиальной структуры за счет достигаемого технического результата.
Количество опытных образцов	5
Количество просмотров	2
Наличие дополнительных файлов	True
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2026-01-12T09:01:57.231952+00:00
Предполагаемый тип результата	Полезная модель
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Милахин Денис Сергеевич
Руководитель организации	Латышев Александр Васильевич
Регистрационный номер НИОКТР	—
Последний статус	Подтверждена, 626011300209-0, 2026-01-13 06:59:50 UTC
ОКПД	Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
Ключевые слова	А3-нитриды; Аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия; Биаксиальное напряжение; Структура буферных слоев GaN/AlN; Поверхностные трещины; Нитридизация кремния; Нитрид галлия на кремнии
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Авторы	Малин Тимур Валерьевич; Мансуров Владимир Геннадьевич; Милахин Денис Сергеевич; Башкатов Дмитрий; Журавлев Константин Сергеевич
Коды тематических рубрик	29.19.16 - Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела; 29.19.31 - Полупроводники
OESR	Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;