| Наименование РИД |
Способ жидкостного травления GaAs
|
| Реферат |
Секрет производства относится к технологии жидкостного химического травления полупроводниковых слоев на основе GaAs, составляющих полупроводниковую структуру, предназначенную для формирования различных устройств (например, фотопроводящих антенн, транзисторов с высокой подвижностью электронов, светодиодов, резонансно-туннельных диодов и т.п.) по маске электронного резиста. При жидкостном химическом травлении по маске электронного резиста профиль областей травления одновременно с травлением в глубину может иметь характерное растравливание в стороны, обусловленное как селективностью по отношению к кристаллографическим плоскостям, так и подтравливанием под резист из-за его отслоения вследствие потери адгезии. Подтравливание под резист приводит к изменению размеров элементов и качества их границ, поэтому для соответствия проявленного рисунка исходному этот эффект должен быть минимизирован или исключен полностью. Предложенный способ жидкостного травления позволяет минимизировать подтравливание и сформировать мезаструктуру или другие элементы устройства в различных полупроводниковых слоях на основе GaAs с высокой точностью размеров элементов и их расположения.
|
| Возможные направления использования |
Ноу-хау может использоваться при формировании полупроводниковых оптоэлектронных генераторов электромагнитного излучения широкого спектра от 100 ГГц до 4 ТГц.
|
| Количество опытных образцов |
0
|
| Количество просмотров |
1
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2026-01-23T08:30:07.378762+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Секрет производства (ноу хау)
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
Правительство Российской Федерации
|
| Руководитель работы |
Хабибуллин Рустам Анварович
|
| Руководитель организации |
Алексеева Ольга Анатольевна
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
125073009192-3
|
| Последний статус |
Подтверждена, 626020300277-1, 2026-02-03 07:03:42 UTC
|
| ОКПД |
Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
|
| Ключевые слова |
Жидкостное химическое травление; полупроводниковые слои; арсенид галлий; полупроводниковая структура
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
|
| Авторы |
Ячменев Александр Эдуардович; Пономарев Дмитрий Сергеевич; Галиев Ринат Радифович; Гарабов Денис Витальевич
|
| Коды тематических рубрик |
29.19.22 - Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры; 29.19.04 - Структура твердых тел; 29.19.24 - Электронная структура твердых тел
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
