Программа численного моделирования туннельного полевого транзистора с барьерами Шоттки на контактах истока и стока

Наименование РИД	Программа численного моделирования туннельного полевого транзистора с барьерами Шоттки на контактах истока и стока
Реферат	Программа позволяет производить сравнительные расчеты характеристик различных конструкций и используемых материалов туннельных полевых транзисторов с барьерами Шоттки на контактах истока и стока, которые исключают технологические операции сильного легирования и высокотемпературного отжига при изготовлении транзисторов. Разработанная программа имеет большое значение для оптимизации транзисторов с целью их успешного применения в цифровых (логических) схемах с высоким быстродействием и малым энергопотреблением.
Возможные направления использования	Оптимизация структуры транзисторов для получения наилучших характеристик
Количество опытных образцов	0
Количество просмотров	2
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-12-18T10:55:57.351353+00:00
Предполагаемый тип результата	Программа для ЭВМ
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	Правительство Российской Федерации
Руководитель работы	Лукичев Владимир Федорович
Руководитель организации	Алексеева Ольга Анатольевна
Регистрационный номер НИОКТР	122020200154-5
Последний статус	Подтверждена, 626011400297-6, 2026-01-14 09:13:29 UTC
ОКПД	Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
Ключевые слова	Туннельный полевой транзистор; туннельный транзистор с барьерами Шоттки
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
Авторы	Семенихин Игорь Александрович; Вьюрков Владимир Владимирович; Лукичев Владимир Федорович; Руденко Константин Васильевич
Коды тематических рубрик	29.03.77 - Моделирование физических явлений
OESR	Нано-материалы [производство и свойства]; Нано-процессы [применение на наноуровне]; (биоматериалы относятся к разделу 2.9)
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;