| Наименование РИД |
Способ регистрации с временной разверткой быстропротекающих обратимых процессов в кристаллических средах в схеме «оптическая накачка-рентгеновское зондирование синхротронным излучением»
|
| Реферат |
Изобретение относится к области исследования свойств и состояния веществ способом, основанном на применении воздействия на исследуемый объект короткими лазерными импульсами.
В способе регистрации с временной разверткой быстропротекающих обратимых процессов в кристаллических средах в схеме «оптическая накачка - рентгеновское зондирование синхротронным излучением», дополнительно применяют следующую последовательность операций:
а) регистрация интенсивности дифрагированного рентгеновского излучения от объекта в заданном угловом положении лавинным фотодиодным детектором, сигнал с которого поступает в систему накопления и обработки данных, аккумулирующаю временные развертки интенсивности в соответствии с заданными параметрами системы синхронизации в условиях воздействия идентичных по длительности и мощности лазерных импульсов;
б) отстройка момента подачи на образец лазерного импульса по времени за счет изменения временной задержки синхроимпульса, сформированного системой синхронизации путем прореживания опорного ВЧ-сигнала, в пределах периода обращения электронных сгустков;
в) передача накопленных и просуммированных между собой временных разверток интенсивности для одного углового положения кристалла на управляющий компьютер в виде массива чисел;
г) повторение операций а)-в) для каждого углового положения объекта на гониометре в пределах заданного диапазона углового сканирования в каждой точке дифракционного пика;
д) накопление в компьютере массива чисел в координатах время(канал)-угол(отстройка)-интенсивность и их обработка для выделения параметров дифракционного пика в каждый момент времени с последующей визуализацией результатов рентгенодифракционного эксперимента как функцию указанных параметров от времени. В системе накопления и обработки данных используют АЦП на основе ПЛИС, причем временные развертки интенсивности накапливают непосредственно в цифровые каналы системы АЦП стробоскопически синфазно относительно лазерного импульса в соответствии с заданными параметрами системы синхронизации в условиях воздействия идентичных по длительности и мощности лазерных импульсов.
|
| Возможные направления использования |
Физика конденсированного состояния, Материаловедение, Микроэлектроника
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
2
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-12-16T07:22:43.579587+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
Российский научный фонд
|
| Руководитель работы |
Мареев Евгений Игоревич
|
| Руководитель организации |
Алексеева Ольга Анатольевна
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
123072700062-6
|
| Последний статус |
Подтверждена, 626011400323-2, 2026-01-14 09:17:38 UTC
|
| ОКПД |
Приборы и аппаратура для измерения или обнаружения ионизирующих излучений прочие
|
| Ключевые слова |
микроэлектроника; деформации; Рентгеновская дифракция; кристаллы; фотовольтаика
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
|
| Авторы |
Писаревский Юрий Владимирович; Куликов Антон Геннадьевич; Таргонский Антон Вадимович; Мареев Евгений Игоревич; Потёмкин Фёдор Викторович
|
| Коды тематических рубрик |
29.19.25 - Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами; 29.33.47 - Воздействие лазерного излучения на вещество; 29.19.19 - Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость); Материаловедение; Оптика (включая лазерную оптику и квантовую оптику)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
