Способ формирования интегрального источника одиночных фотонов

Наименование РИД	Способ формирования интегрального источника одиночных фотонов
Реферат	Позволяет формировать интегральный источник одиночных фотонов на локализованной одиночной квантовой точке в паре с микролазером накачки на основе единой гетероструктуры с квантовой ямой, активные области которых сформированы в едином технологическом цикле из общего активного слоя за счет его селективного распада в результате локального изменения морфологии поверхности. Предполагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Формирование на поверхности по меньшей мере, одного микролазера на квантовой яме, сконфигурированного для генерации излучения в плоскости подложки и накачки источника одиночных фотонов, и, по меньшей мере, одного источника одиночных фотонов на квантовой точке, сконфигурированного для генерации и вывода излучения в направлении, перпендикулярном плоскости подложки.
Возможные направления использования	Способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе.
Количество опытных образцов	1
Количество просмотров	3
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-12-24T08:24:02.964057+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Солодовник Максим Сергеевич
Руководитель организации	Максимова Людмила Геннадьевна
Регистрационный номер НИОКТР	125040704904-2
Последний статус	Подтверждена, 626011400421-5, 2026-01-14 09:35:02 UTC
ОКПД	Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
Ключевые слова	вертикальное излучение; селективный рост; микролазер; интегральная пара; квантовая яма; распад твердого раствора; квантовая точка; источник одиночных фотонов; структурирование; Полупроводники
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Авторы	Черненко Наталия Евгеньевна; Балакирев Сергей Вячеславович; Шандыба Никита Андреевич; Кириченко Данил Владимирович; Духан Денис Дмитриевич; Еременко Михаил Михайлович; Солодовник Максим Сергеевич
Коды тематических рубрик	47.09.29 - Полупроводниковые материалы; 47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники; 47.09.48 - Наноматериалы для электроники; 29.19.03 - Теория конденсированного состояния; 29.19.31 - Полупроводники
OESR	Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость); Материаловедение; Нано-материалы [производство и свойства]; Электротехника и электроника
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;