Контактный слой полупроводникового прибора

Наименование РИД	Контактный слой полупроводникового прибора
Реферат	Разработанное техническое решение направлено на решение технической проблемы получения улучшенного, более универсального, контактного слоя для полупроводниковых приборов за счет достигаемого технического результата. Технический результат при использовании разработанного технического решения выражается в повышении электрической проводимости контактного слоя полупроводникового прибора. Технический результат достигается контактным слоем полупроводникового прибора, содержащим легированные заданным уровнем полупроводниковые слои двух типов, слой одного полупроводникового материала с меньшей шириной запрещенной зоны и большей подвижностью свободных носителей заряда и слой второго полупроводникового материала с большей шириной запрещенной зоны и меньшей подвижностью свободных носителей заряда. Из указанных полупроводниковых слоев сформирована периодическая многослойная структура с периодом, включающим слой-вставку из материала с меньшей шириной запрещенной зоны и большей подвижностью свободных носителей заряда, расположенный между двух матричных слоев основного материала с большей шириной запрещенной зоны и меньшей подвижностью свободных носителей заряда, при этом для слоев-вставок характерна меньшая доля материала по объему периодической многослойной структуры и меньшая толщина слоя, а для матричных слоев основного материала – большая доля материала по объему периодической многослойной структуры и большая толщина слоя, с возможностью формирования слоем-вставкой потенциальной ямы для носителей заряда. Заданный уровень легирования выбран с возможностью достижения заполнения за счет квантово-механического эффекта всех состояний носителей заряда в потенциальной яме слоя-вставки, вплоть до границы потенциальной ямы, определяемой матричным слоем основного материала с большей шириной запрещенной зоны, тем самым обеспечивая свободное движение носителей заряда как в матричном слое основного материала с большей шириной запрещенной зоны и слое-вставке из материала с меньшей шириной запрещенной зоны, так и между ними.
Возможные направления использования	Техническое решение относится к области полупроводниковых приборов, выполненных с использованием широкого круга полупроводниковых материалов, в частности, может быть использовано в транзисторах, в мощных высокоскоростных фотодиодах в качестве контактного слоя.
Количество опытных образцов	17
Количество просмотров	2
Наличие дополнительных файлов	True
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2026-01-21T05:04:40.826745+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Аксенов Максим Сергеевич
Руководитель организации	Латышев Александр Васильевич
Регистрационный номер НИОКТР	—
Последний статус	Подтверждена, 626012100019-4, 2026-01-21 06:26:08 UTC
ОКПД	Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
Ключевые слова	ПРОВОДИМОСТЬ; КОНТАКТНЫЙ СЛОЙ; ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР; ПОЛУПРОВОДНИКИ
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Авторы	Ярошевич Александр Сергеевич; Аксенов Максим Сергеевич; Торопов Александр Иванович; Дмитриев Дмитрий Владимирович; Гилинский Александр Михайлович
Коды тематических рубрик	29.19.22 - Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры; 29.19.16 - Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела; 29.19.31 - Полупроводники; 29.35.47 - Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
OESR	Нано-материалы [производство и свойства]
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;