Разработка конструкции транзисторных гетероструктур на основе p-GaN/AlGaN/GaN для создания полумостового силового каскада на высоковольтных транзисторах
| Название НИОКТР | Разработка конструкции транзисторных гетероструктур на основе p-GaN/AlGaN/GaN для создания полумостового силового каскада на высоковольтных транзисторах |
|---|---|
| Аннотация | Объект исследования: транзисторные гетероструктуры на основе нитрида галлия. Цель: Разработать конструкцию транзисторных гетероструктур на основе p-GaN/AlGaN/GaN для создания полумостового силового каскада на высоковольтных транзисторах с учетом физического и топологического моделирования GaN HEMT и обеспечением высоковольтного применения разрабатываемых транзисторов с высокой подвижностью носителей заряда в канале. Ожидаемые результаты: Будет проведено моделирование растягивающих и сжимающих напряжений в слоях гетероструктуры p-GaN/AlGaN/AlN/GaN/AlGaN/AlN/Si. Будут исследованы влияния ловушек, вызванных легирующими примесями в буферных слоях гетероструктуры, на электрофизические параметры. Будут верифицированы модели нормально-закрытого транзистора с результатами из литературных данных. Будут исследованы особенности формирования вжигаемых омических контактов к гетероструктуре типа AlGaN/GaN с контролируемой шероховатостью металлизации. Будут исследованы процессы формирования толстых GaN слоев методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии для силовых транзисторов на подложках кремния. Будут исследованы с помощью моделирования влияния ловушек, вызванных дефектами на гетерограницах транзисторной гетероструктуры, на электрофизические параметры. Будут промоделированы переходные процессы в силовом полумостовом каскаде на основе соединенных двух GaN HEMT на одной подложке. Будут исследованы процессы формирования металлизации на основе пленок Ti\Al\TiN на поверхности нитридных гетероструктур. Будут исследованы процессы формирования приборных гетероструктур типа AlGaN/GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием снижающих механические напряжения слоев. Будет разработана топология интегральной схемы полумостового силового каскада на поверхности гетероструктуры типа AlGaN/GaN. Будет проведено моделирование влияния ловушек в слоях нитридной гетероструктуры на работу транзистора в динамическом режиме. Будет скорректирована топология разрабатываемого силового каскада с учетом измеренных электрофизических параметров получаемых транзисторов. Будет исследована методика формирования невжигаемых омических контактов на основе метода эпитаксиального выращивания высоколегированных GaN слоев по заданному рисунку. Будет исследована методика формирования слоя in-situ SiN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. Будут исследованы особенности технологии многоуровневой металлизации силовых приборов. Будет проведено моделирование температурных режимов работы разрабатываемого силового каскада. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 1 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 51883.882 |
| Дата начала | 2025-01-01 |
| Дата окончания | 2027-12-31 |
| Номер контракта | Соглашение № 075-03-2025-266/3 |
| Дата контракта | 2025-05-12 |
| Количество отчетов | 3 |
| УДК | 621.382-027.31; 621.382:658.512.2; 621.382.049.77-027.31; 621.382.049.77:658.512.2 |
| Количество просмотров | 12 |
| Руководитель работы | Царик Константин Анатольевич |
| Руководитель организации | Дронов Алексей Алексеевич |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ" |
| Заказчик | МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ |
| Федеральная программа | — |
| Госпрограмма | Фундаментальные и поисковые научные исследования |
| Основание НИОКТР | Государственное задание |
| Последний статус | 2025-06-05 14:23:40 UTC, 2025-06-05 14:23:40 UTC |
| ОКПД | Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | двумерный электронный газ; наногетероструктура; Нитрид галлия; силовой GaN транзистор; моделирование транзистора |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Фундаментальное исследование |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.14.07 - Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники; 47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники |
| OECD | — |
| OESR | Нано-материалы [производство и свойства] |
| Приоритеты научно-технического развития | а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта; |
| Регистрационные номера | ikrbs: {'card_list': [{'id': '6CD0KWJD3UCKD3UKO7NV0PZ4'}]}; nioktr: {'id': 'ZF924E41RIKM7SRDMXMGOCCY'} |