| Название НИОКТР |
Позитивные ESCAP фоторезисты для литографии в UV и DUV областях спектра
|
| Аннотация |
Данный проект ориентирован на создание опытной микротоннажной технологии производства эффективных позитивных фоторезистов с химическим усилением на основе ESCAP сополимеров с высокой чувствительностью, с технологическим окном экспозиций (1-20 мДж/см2), обеспечивающих разрешение элементов свыше 8000 линий/мм для их использования в технологических процессах производства микросхем, использующих UV и DUV излучение.
Целевой спектральный диапазон разрабатываемых фоторезистов 248-436 нм продолжает оставаться актуальным ввиду большого количества оборудования имеющегося у предприятий микроэлектронной отрасли России. На многих предприятиях подобного плана имеются технологические линии, в которых используются источники излучения с длинами волн 248, 365, 375, 405, 436 нм при производстве элементов электронной компонентной базы (ЭКБ).
Проект направлен на удовлетворение актуальных потребностей в получении новых фоторезистов и их компонент для ряда предприятий электронной промышленности Российской Федерации, таких как АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток» (АО «НЗПП Восток») г. Новосибирск, АО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов» (АО «НИИПП») г. Томск, ООО «Поликетон» г. Нижний Новгород, АО «Научно-исследовательский институт вычислительных средств «Спектр» (АО НИИВС «Спектр») г. Санкт-Петербург и другие.
Реализация проекта позволит частично снизить остроту дефицита позитивных фоторезистов нового поколения на территории Российской Федерацией, в связи с введением санкций и невозможностью приобретения аналогичных импортных фоторезистов.
Заявленный к разработке ESCAP фоторезист, призван обеспечить уровень литографического разрешения техпроцесса до 240 нм и, в перспективе, до 120 нм. Производство такого фоторезиста, а так же вспомогательных слоев АОП, крайне актуально для нужд Военно-промышленного комплекса, космической и телекоммуникационной отраслей Российской Федерации.
Параллельно с достижением технологической независимости в области высокотехнологичных материалов для микроэлектронной промышленности РФ также очевидна необходимость разработки передовых и уникальных материалов, соответствующих требованиям мирового уровня. Ввиду этого актуальны разработка, синтез и исследование новых со-полимеров каркасного типа, обладающих низким поглощением в DUV области спектра; новых фоторезистов содержащих ковалентно пришитые функциональные группы (фотогенераторы кислот, фотоопределяемые основания и др.), обладающих повышенной стойкостью к кислотному и плазменному травлению, а так же новых компонент АОП на базе мономеров содержащих модифицированные антроценовые фрагменты.
Качество формируемых микроструктур может быть существенно улучшено в результате использования фоторезистов с выраженным «пороговым» эффектом, т.е. нечувствительных ниже определенного уровня экспозиции, либо с использованием режима двухфотонного поглощения для формирования элементов ЭКБ. Подобный подход позволяет игнорировать фоновую и паразитную засветку, а так же избегать искажений связанных с поглощением среды, что может быть актуально для высокоточного формирования микро- и наноструктур.
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
0
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
51884.854
|
| Дата начала |
2025-01-01
|
| Дата окончания |
2027-12-31
|
| Номер контракта |
075-03-2025-232/3
|
| Дата контракта |
2025-05-15
|
| Количество отчетов |
3
|
| УДК |
678.01 544.23.02/.03 544.25.02/.03
|
| Количество просмотров |
3
|
| Руководитель работы |
Васильев Евгений Владимирович
|
| Руководитель организации |
Багрянская Елена Григорьевна
|
| Исполнитель |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НОВОСИБИРСКИЙ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Н. ВОРОЖЦОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
Фундаментальные и поисковые научные исследования
|
| Основание НИОКТР |
Государственное задание
|
| Последний статус |
2026-01-21 11:15:03 UTC, 2026-01-21 11:15:03 UTC
|
| ОКПД |
Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области химических наук
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
фоторезист устойчивый к воздействию внешней среды; электронная компонентная база; фотолитография; фоторезист с химическим усилением; технология производства фоторезистов; позитивный фоторезист; развитие ЭКБ
|
| Соисполнители |
—
|
| Типы НИОКТР |
Фундаментальное исследование
|
| Приоритетные направления |
—
|
| Критические технологии |
—
|
| Рубрикатор |
31.25.15 - Структура и свойства природных и синтетических высокомолекулярных соединений; 31.21.17 - Реакционная способность; 47.09.59 - Резисты
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Полимеры; Органическая химия
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
| Регистрационные номера |
ikrbs: {'card_list': [{'id': 'HVNSXC4O7ZUWCQXDSEZCECN8'}]}
|
