Глобальный поиск Единое окно поиска по РИД и запросам

IGBT-модули для силовой электроники РФ, этап 1

Название НИОКТР IGBT-модули для силовой электроники РФ, этап 1
Аннотация Стратегическая цель: Обеспечить рост исследований молодых ученых, определяющих научно-техническую повестку страны и обеспечивающих кратный рост доходов от НИОКР, на базе инжиниринговых структур и опытных производств вуза. Цель проекта заключается в обеспечении импортозамещения кремниевых кристаллов IGBT 4-го поколения, конструктивно характеризующегося trench-затвором в структуре МОП транзистора и FS (Field-Stop) – стоп-слоем в биполярной структуре. Продукт проекта и его укрупненная структура : Методики электрофизического проектирования и теоретические технологические маршруты изготовления тестовых кристаллов IGBT и FWD.
Доступ к ОКОГУ исполнителя False
Количество связанных РИД 0
Количество завершенных ИКРБС 0
Сумма бюджета 500.0
Дата начала 2025-07-01
Дата окончания 2025-12-31
Номер контракта № 075-15-2025-055
Дата контракта 2025-03-29
Количество отчетов 1
УДК 621.382-027.31; 621.382:658.512.2; 621.382.049.77-027.31; 621.382.049.77:658.512.2
Количество просмотров 6
Руководитель работы Остертак Дмитрий Иванович
Руководитель организации Батаев Анатолий Андреевич
Исполнитель ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Заказчик МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральная программа Отсутствует
Госпрограмма
Основание НИОКТР Грант
Последний статус 2025-09-22 12:55:40 UTC, 2025-09-22 12:55:40 UTC
ОКПД Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
Отраслевой сегмент
Минздрав
Межгосударственная целевая программа
Ключевые слова Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT); FS-слой; быстро восстанавливающийся диод (FWD); trench-затвор; электрофизические параметры; охранные кольца
Соисполнители
Типы НИОКТР Разработка новых материалов, научно-методических материалов, продуктов, процессов, программ, устройств, типов, элементов, услуг, систем, методов, методик, рекомендаций, предложений, прогнозов; Выбор технологической концепции
Приоритетные направления
Критические технологии
Рубрикатор 47.14.07 - Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
OECD
OESR Электротехника и электроника
Приоритеты научно-технического развития а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
Регистрационные номера ikrbs: {'card_list': [{'id': '4YDHY7CY3Z6807ISHWCKFDP8'}]}