Разработка измерительного стенда для контроля параметров тестовых элементов и испытаний СВЧ компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках карбида кремния
| Название НИОКТР | Разработка измерительного стенда для контроля параметров тестовых элементов и испытаний СВЧ компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках карбида кремния |
|---|---|
| Аннотация | Целью выполнения составной части опытно-конструкторской работы (СЧ ОКР) является разработка измерительного стенда для проведения межоперационного контроля в диапазоне частот до 26,5 ГГц параметров тестовых элементов на пластинах, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках карбида кремния с проектными нормами 0,25 мкм, а также испытаний широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем, работающих в частотном диапазоне от 2 ГГц до 18 ГГц на основе нормально открытых полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на гетероэпитаксиальньих структурах нитрида галлия на подложках карбида кремния (GaN/SiC). В ходе выполнения СЧ ОКР должны быть решены следующие задачи: 1. Разработана эскизная Кд на Стенд, в том числе: - блок-схема Стенда; - блок-схема измерения МИС; - блок-схема измерения НЧ параметров тестовых элементов; - блок-схема измерения ВЧ параметров тестовых элементов; - перечень измерительного оборудования. 2. Разработана эксплуатационная документация на Стенд. 3. Закуплено оборудование для комплектования Стенда. 4. Разработаны программа и методики измерений, выполняемых на Стенде, в том числе: - методика проведения импульсных измерений параметров МИС СВЧ на GaN/SiC пластине в диапазоне частот 2 - 18 ГГц; - методика проведения низкочастотных измерений параметров тестовых элементов; - методика проведения высокочастотных измерений параметров тестовых элементов в диапазоне частот от 10 МГц до 26,5 ГГц. 5. Проведена сборка Стенда. 6. Разработаны программа и методика испытаний Стенда. 7. Проведены испытания Стенда. 8. Проведена аттестация Стенда. 9. Составлен научно-технический отчёт по СЧ ОКР. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 179602.312 |
| Дата начала | 2025-06-27 |
| Дата окончания | 2026-09-30 |
| Номер контракта | 33/508-24 |
| Дата контракта | 2025-06-27 |
| Количество отчетов | 2 |
| УДК | 621.382.037.37 |
| Количество просмотров | 5 |
| Руководитель работы | Рыжук Роман Валериевич |
| Руководитель организации | Губский Константин Леонидович |
| Исполнитель | Общество с ограниченной ответственностью "Лазер Ай" |
| Заказчик | АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИСТОК" ИМЕНИ А. И. ШОКИНА" |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Договор со сторонней организацией |
| Последний статус | 2025-10-01 09:47:09 UTC, 2025-10-01 09:47:09 UTC |
| ОКПД | Услуги (работы), связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области технических наук и в области технологий, прочие, не включенные в другие группировки, кроме биотехнологии |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | монолитная интегральная схема; измерение; сверхвысокая частота; транзистор |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Выбор технологической концепции |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.33.29 - Дискретные полупроводниковые приборы |
| OECD | — |
| OESR | Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта; |
| Регистрационные номера | — |