| Название НИОКТР |
Исследование технологических решений создания фотошаблонов и фотошаблонных заготовок для производства изделий с проектными нормами 28 нм
|
| Аннотация |
Объект исследования – Технологии создания фотошаблонов и фотошаблонных заготовок для производства изделий с проектными нормами 28 нм.
Цель работы – Исследование технологических решений создания фотошаблонов (ФШ) и фотошаблонных заготовок (ФШЗ) для производства изделий с проектными нормами 28 нм.
Ожидаемые результаты:
1. Классификация литографических слоев в составе маршрута изготовления полупроводниковых изделий уровня 28 нм по группам сложности (критичности), на которые они должны быть разделены в зависимости от требований, предъявляемых к размерам и точности воспроизведения рисунка фоторезистивной маски;
2. Типовой набор требований к операциям проекционной фотолитографии, содержащий для каждой группы слоев (при необходимости с уточнением для отдельных слоев) информацию: о моделях используемого литографического оборудования; о типе используемого фотошаблона; о режимах фотолитографии (в том числе настройки проекционной системы и осветителя); о конфигурации контрольных структур рисунка; о требованиях к размерам элементов рисунка, воспроизводимого в фоторезисте, и допустимых отклонениях; о необходимой точности совмещения;
3. Базовые технические требования к фотошаблонам, предназначенным для реализации основных групп операций проекционной фотолитографии в составе технологии производства полупроводниковых изделий проектных норм 28 нм, а именно: требования к фотошаблонной заготовке; требования к конфигурации контрольных элементов рисунка на фотошаблоне; требования к точности расположения элементов рисунка на фотошаблоне; требования к допустимому разбросу критических линейных размеров контрольных элементов рисунка по полю фотошаблона и отклонению среднего значения критического линейного размера по полю фотошаблона относительно номинала; требования к допустимой дефектности рисунка на фотошаблоне; требования к маскирующему слою; требования к элементам рисунка основных видов фазосдвигающих фотошаблонов;
4. Сведения по результатам обзорно-аналитических исследований особенностей литографического оборудования и операций проекционной фотолитографии, формирующих рисунок литографических слоев, а также типовых техник RET, применяемых в технологии производства полупроводниковых изделий проектных норм 28 нм;
5. Требования к геометрии фоторезистивной маски, а также основные характеристики литографического оборудования и особенности техник RET, учитываемые при проектировании фотошаблонов, применяемых в технологии уровня 28 нм;
6. Методы оценки базовых технических требований к фотошаблонам, перечисленных в п. 3 на основе технологических требований к фоторезистивной маске, характеристик литографического оборудования и применяемых методик RET для основных групп сложности операций проекционной фотолитографии;
7. Предварительная расчетная оценка технических требований к фотошаблонам для основных групп сложности операций проекционной фотолитографии, применяемых в технологии производства полупроводниковых изделий проектных норм 28 нм;
8. Перечень комплекта средств САПР, необходимых для проектирования ФШ, используемых в технологических процессах производства интегральных схем с проектными нормами 28 нм;
9. Перечень специального технологического и контрольно-измерительного оборудования для изготовления комплектов ФШ для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 28 нм;
10. Результаты исследования образцов коммерчески доступных ФШЗ, включая методику определения оптических свойств (в том числе оптической плотности и коэффициента отражения) маскирующих слоев на длине волны 193 нм;
11. Описание процесса исследования технологических решений для создания отдельных слоев на основе Cr для ослабляющих (attenuated) фазосдвигающих ФШЗ;
12. Описание лабораторного технологического процесса создания отдельных слоев на основе Cr для ослабляющих (attenuated) фазосдвигающих ФШЗ;
13. Описание процесса исследования технологических решений для создания многослойных структур на основе Cr для ослабляющих (attenuated) фазосдвигающих ФШЗ;
14. Описание лабораторного технологического процесса создания многослойных структур на основе Cr для ослабляющих (attenuated) фазосдвигающих ФШЗ;
15. Методика расчета дифракционной картины двумерного случая для оценки оптического контраста и проведено математическое моделирование дифракционной картины двумерного случая для различных параметров ФШЗ и различных оптических свойств фазосдвигающих слоев;
16. Описание процесса исследования технологических решений для создания непрозрачных слоев на основе MoSi для OMOG ФШЗ (Opaque MoSi On Glass – непрозрачный силицид молибдена на стекле);
17. Описание лабораторного технологического процесса создания непрозрачных слоев на основе MoSi для OMOG ФШЗ (Opaque MoSi On Glass – непрозрачный силицид молибдена на стекле);
18. Описание процесса исследования технологических решений для создания вспомогательных слоев на основе Cr на OMOG ФШЗ (Opaque MoSi On Glass – непрозрачный силицид молибдена на стекле);
19. Описание лабораторного технологического процесса создания вспомогательных слоев на основе Cr на OMOG ФШЗ (Opaque MoSi On Glass – непрозрачный силицид молибдена на стекле);
20. Описание процесса исследования технологических решений для создания маскирующих слоев на основе Cr на чередующихся (alternating) фазосдвигающих ФШЗ, применяемых для изготовления ФШ с травлением кварца;
21. Описание лабораторного технологического процесса создания маскирующих слоев на основе Cr на чередующихся (alternating) фазосдвигающих ФШЗ, применяемых для изготовления ФШ с травлением кварца;
22. Описание режимов травления кварца для обеспечения необходимого сдвига фаз в 180 град. для создания чередующихся (alternating) фазосдвигающих ФШ. Научно-технические результаты работ предназначены для использования в рамках ОКР по разработке технологического процесса изготовления ФШЗ и ФШ для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90-65-28 нм с применением техник повышения разрешения.
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
1
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
229897.452
|
| Дата начала |
2025-05-01
|
| Дата окончания |
2025-12-31
|
| Номер контракта |
Соглашение № 075-03-2025-266/5
|
| Дата контракта |
2025-07-16
|
| Количество отчетов |
1
|
| УДК |
621.382:658.274; 621.382.049.77:658.274
|
| Количество просмотров |
8
|
| Руководитель работы |
Козлов Владимир Алексеевич
|
| Руководитель организации |
Дронов Алексей Алексеевич
|
| Исполнитель |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
Научно-технологическое развитие Российской Федерации
|
| Основание НИОКТР |
Государственное задание
|
| Последний статус |
2025-10-29 13:38:43 UTC, 2025-10-29 13:38:43 UTC
|
| ОКПД |
Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
фотолитография; производство полупроводниковых изделий; фотошаблоны; проектные нормы; фотошаблонные заготовки
|
| Соисполнители |
—
|
| Типы НИОКТР |
Разработка и лабораторная проверка ключевых элементов технологии
|
| Приоритетные направления |
—
|
| Критические технологии |
—
|
| Рубрикатор |
47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
| Регистрационные номера |
ikrbs: {'card_list': [{'id': 'UNFXPGZGI0AJCFBDKG59VLV2'}]}; nioktr: {'id': 'NIU9WSCTDDI755C0N7AX79KX'}
|
