Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga, Al) N
| Название НИОКТР | Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga, Al) N |
|---|---|
| Аннотация | Объект исследования: технологии изготовления гетероструктур на подложках Si. Цель исследования: разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga, Al) N, включая комбинации из нескольких слоев, на подложках кремния (Si) в обеспечение технологических работ по отработке эпитаксиального роста этих структур методом металлорганической газофазной эпитаксии. Ожидаемые результаты: - будут подготовлены материалов для научно-технического отчета (НТО) в части технологии изготовления гетероструктур на подложках Si методом газофазной эпитаксии: обзор текущего состояния и определение технических требований к электрофизическим параметрам слоев (Ga, Al) N и их комбинациям для GaN HEMT гетероструктур на подложках Si; - разработаны комплектов фотошаблонов для изготовления тестовых элементов для формирования омических контактов и барьеров Шоттки и измерения электрофизических параметров (вольт-амперные характеристики, напряжение пробоя, проводимость) слоев (Ga, Al) N и их комбинаций на подложках кремния (Si); - будут изготовлены тестовых элементов для измерения электрофизических параметров; - будут проведены измерения электрофизических параметров сформированных структур; - будет дано заключение о возможности использования разработанных слоев (Ga, Al) N в составе гетероструктур AlGaN/GaN на подложках кремния (Si) для обеспечения создания силовых нормально-закрытых GaN-транзисторов, а также СВЧ нормально-открытых GaN-транзисторов. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 6200.0 |
| Дата начала | 2025-10-13 |
| Дата окончания | 2025-11-30 |
| Номер контракта | Договор № И2025-34 |
| Дата контракта | 2025-10-13 |
| Количество отчетов | 1 |
| УДК | 621.382:658.274; 621.382.049.77:658.274 |
| Количество просмотров | 4 |
| Руководитель работы | Егоркин Владимир Ильич |
| Руководитель организации | Дронов Алексей Алексеевич |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ" |
| Заказчик | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Договор со сторонней организацией |
| Последний статус | 2025-11-07 18:16:13 UTC, 2025-11-07 18:16:13 UTC |
| ОКПД | Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | ТЕХНОЛОГИЯ; НИТРИД ГАЛЛИЯ; ТЕСТОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ; ГЕТЕРОСТРУКТУРА; ПОДЛОЖКА Si |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Разработка и лабораторная проверка ключевых элементов технологии |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники |
| OECD | — |
| OESR | Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | е) повышение уровня связанности территории Российской Федерации путем создания интеллектуальных транспортных, энергетических и телекоммуникационных систем, а также занятия и удержания лидерских позиций в создании международных транспортно-логистических систем, освоении и использовании космического и воздушного пространства, Мирового океана, Арктики и Антарктики; |
| Регистрационные номера | — |