| Название НИОКТР |
НИР «Разработка технологии изготовления полированных пластин фосфида галлия»
|
| Аннотация |
Актуальность работы определяется тем, что разработка технологии выращивания монокристаллов фосфида галлия и изготовление из них полированных пластин, готовых к эпитаксии, формируют технологическую основу для создания высокоэффективных и устойчивых к внешнему воздействию фотоприемников ультрафиолетового излучения, работающих в широком спектральном диапазоне.
В настоящее время в Российской Федерации производство полированных пластин фосфида галлия, готовых к эпитаксии, отсутствует. Основные зарубежные производители монокристаллического фосфида галлия и полированных пластин на его основе - японские фирмы «Shin Etsu», «Showa Denko», «Toshiba», «Sumitomo Metal Mining». Однако, приобретение пластин с 2022 года невозможно из-за санкционных ограничений.
Полированные пластины фосфида галлия, готовые к эпитаксии, являются основой (подложкой) для формирования эпитаксиальных структур, необходимых для изготовления фотоприемников ультрафиолетового излучения с высокой стабильностью чувствительности до уровня освещенности 2·10-² Вт/см² и способностью работать в широком температурном диапазоне (от – 200°С до + 300 °С). Фотоприемники на основе широкозонного полупроводникового материала фосфида галлия дают уникальную возможность создания датчиков со спектральной чувствительностью в ультрафиолетовой и видимой областях спектра (200-500 нм). В области (250 - 410) нм чувствительность остается практически постоянной вплоть до +300°С.
Полированные пластины фосфида галлия, готовые к эпитаксии, обеспечат создание эпитаксиальных структур, предназначенных для изготовления радиационно-устойчивых малоинерционных светоизлучающих приборов, входящих в состав высококонтрастных жидкокристаллических дисплеев устройств отображения информации, применяемых в системах управления транспортом, медицинской технике, а так же в вычислительных и телекоммуникационных системах.
Таким образом, разработка и производство полированных пластин фосфида галлия, готовых к эпитаксии, может рассматриваться как один из важнейших секторов высоких технологий, определяющих динамичный научно-технический и производственный процесс развития российской оптоэлектроники и обеспечивающих ее конкурентоспособность на мировом рынке.
Перспективные области реализации результатов работы:
- системы мониторинга экологической обстановки в ультрафиолетовом диапазоне;
- высокоскоростные каналы приема и передачи информации.
Новизна работы заключается в том, что будет создано производство радиационно-стойких полированных пластин фосфида галлия, готовых к эпитаксии, соответствующих мировому уровню качества, которое в настоящее время в нашей стране отсутствует.
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
0
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
150000.0
|
| Дата начала |
2025-10-07
|
| Дата окончания |
2028-09-30
|
| Номер контракта |
25-91-00002
|
| Дата контракта |
2025-10-07
|
| Количество отчетов |
3
|
| УДК |
621.315.592
|
| Количество просмотров |
6
|
| Руководитель работы |
Жаворонков Николай Васильевич
|
| Руководитель организации |
Сомов Александр Викторович
|
| Исполнитель |
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ ИМ. А. Ю. МАЛИНИНА"
|
| Заказчик |
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ "ПОЛЮС" ИМ. М.Ф.СТЕЛЬМАХА"
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
—
|
| Основание НИОКТР |
Грант
|
| Последний статус |
2025-11-11 08:54:14 UTC, 2025-11-11 08:54:14 UTC
|
| ОКПД |
Услуги (работы), связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области технических наук и в области технологий, прочие, не включенные в другие группировки, кроме биотехнологии
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
термообработка; фосфид галлия; монокристалл; поликристалл; полировка; стехиометрия; дислокация
|
| Соисполнители |
Российский научный фонд
|
| Типы НИОКТР |
Разработка новых материалов, научно-методических материалов, продуктов, процессов, программ, устройств, типов, элементов, услуг, систем, методов, методик, рекомендаций, предложений, прогнозов
|
| Приоритетные направления |
—
|
| Критические технологии |
—
|
| Рубрикатор |
47.09.29 - Полупроводниковые материалы
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Материаловедение
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
| Регистрационные номера |
—
|