"Разработка технологии и технологическая подготовка к производству кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 мм для силовых преобразовательных модулей"
| Название НИОКТР | "Разработка технологии и технологическая подготовка к производству кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 мм для силовых преобразовательных модулей" |
|---|---|
| Аннотация | Совместный проект НИУ МИЭТ и АО «Зеленоградский нанотехнологический центр», осуществляемый в рамках соглашения с Министерством науки и высшего образования предусматривает разработку технологии и создание производственных мощностей по изготовлению и сборке транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния диаметром 150 мм. В результате реализации комплексного проекта планируется достичь выпуска широкой номенклатуры силовых транзисторов с рабочим напряжением не менее 600 В и током до 30 А в стандартных пластиковых корпусах для широкого круга потребителей. Спецприменения будут представлены продукцией в металлокерамических корпусах. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 162000.0 |
| Дата начала | 2019-11-26 |
| Дата окончания | 2021-12-31 |
| Номер контракта | 075-11-2019-068 |
| Дата контракта | 2019-11-26 |
| Количество отчетов | 5 |
| УДК | 621.382.037.37 |
| Количество просмотров | 3 |
| Руководитель работы | Зуев Владислав Игоревич |
| Руководитель организации | Ковалев Анатолий Андреевич |
| Исполнитель | АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗЕЛЕНОГРАДСКИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР" |
| Заказчик | МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | Научно-технологическое развитие Российской Федерации |
| Основание НИОКТР | Соглашение (государственный/муниципальный контракт) |
| Последний статус | 2025-12-09 08:20:13 UTC, 2025-12-09 08:20:13 UTC |
| ОКПД | Транзисторы |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | технологический процесс; высокотехнологичное производство; подложка кремния диаметром 150 мм; гетероструктура нитрида галлия; Силовой транзистор |
| Соисполнители | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ" |
| Типы НИОКТР | Технологические работы |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.33.29 - Дискретные полупроводниковые приборы |
| OECD | — |
| OESR | Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | Отсутствует |
| Регистрационные номера | ikrbs: {'card_list': [{'id': '884ILMD2VLI39H9BJPRD898L'}]}; ikrbs: {'card_list': [{'id': 'FDYLIJ7BU159IUKVUL69VDAS'}]}; ikrbs: {'card_list': [{'id': 'F4SUPV3FWXVOHQD7KK142M64'}]}; ikrbs: {'card_list': [{'id': 'U7MSBAGFJOGAPQHK7JJ7X1H9'}]}; ikrbs: {'card_list': [{'id': '4MMWF4WVSJ75ACR6MGPWE1TJ'}]} |