Разработка технологии создания поляризационно-чувствительных элементов оптики, фотовольтаики и памяти на фазовых переходах с помощью прямой фемтосекундной лазерной записи на поверхностях аморфного кремния и халькогенидных стеклообразных полупроводников
| Название НИОКТР | Разработка технологии создания поляризационно-чувствительных элементов оптики, фотовольтаики и памяти на фазовых переходах с помощью прямой фемтосекундной лазерной записи на поверхностях аморфного кремния и халькогенидных стеклообразных полупроводников |
|---|---|
| Аннотация | Успехи в создании поляризационно-чувствительных оптических элементов для видимого и ближнего инфракрасного диапазона путем формирования лазерно-индуцированных поверхностных периодических структур (ЛИППС) в тонких пленках аморфного кремния (a-Si) и халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) с химическим составом As50Se50, As2Se3 и As2S3, а также гетероперехода «кристаллический кремний (c-Si) – a-Si» за счет неоднородной по глубине лазерно-индуцированной кристаллизации тонкой пленки a-Si, продемонстрированные в ходе выполнения предыдущих этапов проекта, открывают перспективы для дальнейшего совершенствования лазерных технологий получения получения описанных структур при помощи ультракоротких лазерных импульсов. Особый интерес вызывает возможность реализации способа повышения кумулятивного значения оптической анизотропии в подобных поляризационно-чувствительных оптических элементах за счет создания многослойной структуры, где отдельные слои ХСП с ЛИППС будут разделены прозрачной соединительной средой, например, оксидом кремния SiO2. В продлении проекта также предполагается продемонстрировать возможности создания интегрированных оптических элементов на основе подобных многослойных оптических элементов, что может быть интересно как для исследовательских установок для проведения поляризационных оптических измерений или создания структурированных световых пучков, так и в сфере телекоммуникации, например для создания элементов детектирования поляризационной моды сигнала, передаваемого в оптоволоконных линиях связи. Актуальной остается и возможность повышения эффективности солнечных элементов на основе слоев a-Si за счет его гидрирования с последующей лазерно-индуцированной кристаллизацией и созданием в слое a-Si гетероперехода «c-Si – a-Si». В продлении проекта предполагается разработка технологии получения такого гетероперехода в приповерхностном слое гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si:H) с использованием метода прямой фемтосекундной лазерной записи. Указанная технология может найти применение для увеличения эффективности солнечных батарей на основе слоев кремния за счет того, что гетеропереход «c-Si – a-Si» способствует более эффективному разделению зарядов и более высокой подвижности зарядов в нанокристаллическом кремнии по сравнению с a-Si. Данный подход представляется актуальным, прежде всего, для HIT-структур (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer solar cells, Тонкопленочные солнечные элементы на основе гетероперехода с нелегированным слоем). |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | True |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 14000.0 |
| Дата начала | 2025-06-10 |
| Дата окончания | 2026-12-31 |
| Номер контракта | 22-19-00035-П |
| Дата контракта | 2025-06-10 |
| Количество отчетов | 2 |
| УДК | 535.3 |
| Количество просмотров | 3 |
| Руководитель работы | Кашкаров Павел Константинович |
| Руководитель организации | Белокуров Владимир Викторович |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М.В.ЛОМОНОСОВА" |
| Заказчик | Российский научный фонд |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Грант |
| Последний статус | 2025-12-16 08:37:17 UTC, 2025-12-16 08:37:17 UTC |
| ОКПД | Услуги, предоставляемые прочими научными и техническими консультантами, не включенными в другие группировки |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | фазопеременные материалы; аморфный кремний; стеклообразные халькогениды; фемтосекундное лазерное облучение; лазерно-индуцированные поверхностные периодические структуры; поляризационная оптика; фотовольтаика |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Фундаментальное исследование |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 29.31.27 - Взаимодействие оптического излучения с веществом; 29.33.47 - Воздействие лазерного излучения на вещество; 29.19.22 - Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры; 29.19.15 - Фазовые равновесия и фазовые переходы |
| OECD | — |
| OESR | Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость) |
| Приоритеты научно-технического развития | Отсутствует |
| Регистрационные номера | — |