Системный анализ кристаллов ИС и полупроводниковых приборов, шифр: «Редизайн-А»
| Название НИОКТР | Системный анализ кристаллов ИС и полупроводниковых приборов, шифр: «Редизайн-А» |
|---|---|
| Аннотация | Цель Провести системный анализ кристаллов ИС и полупроводниковых приборов для реверс-инжиниринга Объекты исследования: функциональные аналоги дискретных полупроводниковых приборов, интегральных микросхем и тестовых структур, разрабатываемых выполнения комплексного проекта «Разработка и организация серийного производства серий ЭКБ, включая развитие тренч-технологий, с целью обеспечения технологического суверенитета» №32-2 от 23 декабря 2024 г. в рамках постановления Правительства Российской Федерации от 24.07.2021 № 1252 (в редакции постановления правительства Российской Федерации от 18.10.2023 № 1733) (перечень и количество образцов согласовывается Заказчиком и Исполнителем в процессе работ). Задачи Проведение этапов системного анализа кристаллов ИС образцов: 1) Исследование прибора в типовой схеме применения, исследование вольтамперных характеристик (ВАХ), анализ электропараметров согласно технической информации на прибор; 2) Препарирование ИС (декапсуляция, травление, шлифовка, подготовка образцов для микроскопического исследования и т.д); 3) Тополого-схемотехнический анализ кристалла ИС; 4) Конструкторско-технологический анализ кристалла ИС; 5) Восстановление схемы электрической; 6) Схемотехнический синтез принципиальной электрической схемы ИС и ее имитационное моделирование; 7) Формирование рекомендаций по выбору техпроцесса изготовления ИС. Результаты Результаты системного анализа кристаллов ИС согласно выполнению его этапов: 1) Данные об измеренных электропараметрах ИС и сопоставление их с технической информацией на прибор; 2) Данные анализа монтажа кристалла (материал, диаметр проволоки; толщина кристалла; способ посадки и т.д.); 3) Данные тополого-схемотехнического анализа кристалла (снимки фрагментов топологии слоев кристалла, а также результат их совмещения - целостные послойные изображения кристалла и т.д.); 4) Результаты конструкторско-технологического анализа кристалла ИС (снимки поперечных сечений слоев; результаты послойного анализа состава конструктивных элементов кристалла; данные о толщине слоев и топологических параметров интегральных элементов; результаты детального анализа конструкции и технологии изготовления базовых функциональных структур (например, транзисторов), систем коммутации и изоляции); 5) Восстановленная схема электрическая ИС с предварительно определенными функциональными узлами ИС; результат проведения проверки соответствия восстановленной электрической схемы топологии из п.З. 6) Результат имитационного моделирования; результат проверки соответствия полученных параметров данным технической информации на прибор. 7) Рекомендации по выбору имеющегося техпроцесса изготовления ИС с указанием ориентировочных размеров кристалла ИС. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 36000.0 |
| Дата начала | 2024-12-23 |
| Дата окончания | 2027-09-25 |
| Номер контракта | 32-2 |
| Дата контракта | 2024-12-23 |
| Количество отчетов | 3 |
| УДК | 621.38.049.77 |
| Количество просмотров | 3 |
| Руководитель работы | Малаханов Алексей Алексеевич |
| Руководитель организации | Федонин Олег Николаевич |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "БРЯНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" |
| Заказчик | АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Договор со сторонней организацией |
| Последний статус | 2025-12-16 13:36:31 UTC, 2025-12-16 13:36:31 UTC |
| ОКПД | Схемы интегральные электронные |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | модель; топология; системный анализ; технология; кристалл; схемотехника; интегральная микросхема |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Разработка и лабораторная проверка ключевых элементов технологии |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.33.31 - Интегральные микросхемы |
| OECD | — |
| OESR | Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта; |
| Регистрационные номера | — |