| Название НИОКТР |
Многофакторный прецизионный контроль структуры пленок фазопеременных халькогенидов для нейроморфных систем и приборов на их основе
|
| Аннотация |
Для развития современных информационных технологий критичным является решение прикладных задач как в области высокоскоростной передачи, обработки и хранения данных, так и в области отображения информации и управления оптическими сигналами. Одной из актуальных задач является создание и развитие технологии формирования перестраиваемых многоуровневых интегральных логических схем, в том числе оптических, для реализации нейроморфных вычислений. Ключевая проблема данной технологии состоит в создании активных материалов оптимального химического состава, позволяющих прецизионно реализовывать многоуровневые структурные состояния.
В проекте предлагается реализовать данную технологию на основе реверсивно реконфигурируемых фазопеременных халькогенидных тонкопленочных структур за счет направленного изменения структурных и, соответственно, физико-химических свойств поверхностных слоев, а также контролируемого изменения морфологии и создания наноразмерных объектов. Достижение запланированных результатов позволит существенно повысить степень интеграции, надежность и энергоэффективность создаваемых нейроморфных вычислительных систем, а разработка полностью оптических многоуровневых элементов сформирует основу дальнейшего повышение производительности вычислительной техники путем снижения задержек, связанных с электрическим способом хранения и передачи данных, в том числе обусловленных RC-задержкой, и в результате позволит обеспечить дальнейшее развитие компьютерных и информационных технологий.
Таким образом, целью данного исследования является разработка и формирование материалов с прецизионным контролем структуры и подходов к созданию масштабируемых реверсивно реконфигурируемых элементов, в том числе для нейроморфных вычислительных систем, с применением инженерии поверхности неупорядоченных полупроводниковых тонкопленочных структур.
Реализация проекта будет проводиться коллективами из РФ и КНР под руководством Колобова А.В. и Yan Cheng, являющихся ведущими учеными в области разработки реконфигурируемых неупорядоченных полупроводниковых тонкопленочных структур с применением современного аналитического оборудования и установок класса «Мегасайенс». В состав коллектива войдут как профессора, являющиеся ведущими учеными мирового уровня, так и перспективные молодые ученые-исследователи.
В рамках научного исследования впервые будет теоретически и экспериментально исследовано комплексное влияние параметров, в том числе механизмов кристаллизации, на структурные превращения в фазопеременных халькогенидных тонких пленках и многослойных гетероструктурах при ультракоротком лазерном воздействии, а также определены характеристики переключения и сопровождающее его изменение структурных/оптических/электрофизических свойства. По результатам совместных исследований коллективов из РФ и КНР будет выбран оптимальный с позиции функциональных свойств материал и разработаны методы формирования и стирания промежуточных состояний в тонких пленках на его основе. Полученные результаты пройдут апробацию на Т- структурах для электрических запоминающих устройств с топологическим размером нижнего электрода 190 нм, 90 нм и 50 нм (в настоящее время в РФ реализованы производства микроэлектроники с нормами 90 нм и продемонстрирована возможность создания элементов по нормам 65 нм), которые будут изготовлены коллективом из КНР, а также на энергонезависимых полностью оптически реконфигурируемых элементах, которые будут подготовлены коллективом из РФ.
Выполнение работ позволит локализовать в РФ базовые технологии по созданию многоуровневых энергонезависимых элементов для нейроморфных вычислений, совместимые с технологией кремниевой микроэлектроники и адаптированные под возможности и задачи современных производителей устройств электроники и нанофотоники при поддержке предприятий-партнеров, заинтересованных в предлагаемых разработках и доведении технологии до лицензионного уровня
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
0
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
21000.0
|
| Дата начала |
2025-01-01
|
| Дата окончания |
2027-12-31
|
| Номер контракта |
25-49-00103
|
| Дата контракта |
2024-12-28
|
| Количество отчетов |
3
|
| УДК |
544.344
|
| Количество просмотров |
4
|
| Руководитель работы |
Колобов Александр Владимирович
|
| Руководитель организации |
Микляева Анастасия Владимировна
|
| Исполнитель |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. И. ГЕРЦЕНА"
|
| Заказчик |
Российский научный фонд
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
—
|
| Основание НИОКТР |
Грант
|
| Последний статус |
2025-12-19 09:02:51 UTC, 2025-12-19 09:02:51 UTC
|
| ОКПД |
Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
фемтосекундные импульсы; структура; халькогениды; фазопеременные материалы; нейроморфные системы; многоуровневая запись информации; структурная модификация; дрейф; первопринципные расчеты
|
| Соисполнители |
—
|
| Типы НИОКТР |
Фундаментальное исследование; Разработка новых материалов, научно-методических материалов, продуктов, процессов, программ, устройств, типов, элементов, услуг, систем, методов, методик, рекомендаций, предложений, прогнозов
|
| Приоритетные направления |
—
|
| Критические технологии |
—
|
| Рубрикатор |
29.19.24 - Электронная структура твердых тел; 47.09.29 - Полупроводниковые материалы; 29.19.15 - Фазовые равновесия и фазовые переходы
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость); Нано-материалы [производство и свойства]
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
| Регистрационные номера |
—
|