| Название НИОКТР |
Разработка конструкций и технологии создания гетероструктур приборов СВЧ-микроэлектроники и фотоники в интересах российской промышленности
|
| Аннотация |
Современные гетероструктуры на основе A3B5 полупроводников имеют множество применений, в частности, они являются ключевым компонентом для изготовления различных типов СВЧ микросхем, необходимых для проектирования и изготовления приемопередающего модуля активно фазированных антенных решеток (АФАР). В свою очередь АФАР имеет очень широкую область применения:
использование в радиолокационных системах для радиолокационного мониторинга наземного, воздушного и морского пространства для осуществления безопасности объектов транспортной инфраструктуры гражданских наземных, воздушных и морских судов. Также АФАР могут быть применены в телекоммуникационных системах специального назначения.
Кроме того, системы беспилотного транспорта полноценно внедряются в нашу жизнь. Автоматические беспилотные вагоны метрополитена функционируют в большинстве мировых столиц, на дорогах общественно пользования активно тестируются беспилотные автомобили, которые могут найти свое применение в такси и в службах доставки товаров. Одной из ключевых технологий, применяемых в подобных системах, является технология LiDAR (Light Detection and Ranging), заключающаяся в получении и обработке оптических сигналов, отраженных от удалённых объектов. Подобные системы в своем составе включают источники лазерного излучения, в качестве которых сегодня применяются существующие мощные вертикально-излучающие лазеры, а также матрицы фотоприемников, выбор которых пока ограничен.
Таким образом, детальное теоретическое и экспериментальное исследование физико-технологических подходов к созданию гетероструктур твердых растворов InGaAlAsP является актуальным для создания новых типов полупроводниковых приборов недоступных в настоящее время в РФ. Мировой интерес подтверждается множеством компаний, изготавливающих такие СВЧ микросхемы и мировым рынком более чем в десятки миллиардов долларов США в год, что подчеркивает актуальность исследований в данном направлении и необходимость стимулирования развития этого направления в РФ.
В рамках проекта будет разработана конструкции, технология изготовления и опытные образцы гетероструктур твердых растворов InGaAlAsP на подложках арсенида галлия и фосфида индия диаметром не менее 76 мм. С помощью и на базе партнёра лаборатории будут разработаны комплекты конструкторской и технологической документации необходимой для изготовления комплекта СВЧ микросхем для последующего проектирования и изготовления нового поколения приемопередающего модуля активных фазированных антенных решеток: СВЧ МИС малошумящего усилителя, буферного усилителя, 6-ти разрядного аттенюатора, ограничителя мощности, предназначенного для применения в X-диапазоне частот, варикапа, а также гетероструктуры лавинных фотодиодов ИК диапазона на основе гетероструктур твердых растворов InGaAlAs.
Таким образом, предлагаемый проект находится в русле современного развития СВЧ микроэлектроники и фотоники РФ, характеристики заявленной продукции не уступают зарубежным аналогам. Данный проект позволит перекрыть спрос на электронную компонентную базу на российском рынке и не допустить критического отставания РФ в этой высокотехнологичной области.
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
0
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
51879.475
|
| Дата начала |
2025-01-01
|
| Дата окончания |
2027-12-31
|
| Номер контракта |
075-00204-25-03
|
| Дата контракта |
2025-04-22
|
| Количество отчетов |
3
|
| УДК |
538.97 539.216.2 539.23
|
| Количество просмотров |
4
|
| Руководитель работы |
Соболев Максим Сергеевич
|
| Руководитель организации |
Мухин Иван Сергеевич
|
| Исполнитель |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Ж.И. АЛФЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
Фундаментальные и поисковые научные исследования
|
| Основание НИОКТР |
Государственное задание
|
| Последний статус |
2026-01-14 09:56:48 UTC, 2026-01-14 09:56:48 UTC
|
| ОКПД |
Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
гетероструктуры; А3В5 полупроводники; сверхвысокочастотная электроника; лавинные фотодиоды; монолитная интегральная схема; Молекулярно-пучковая эпитаксия
|
| Соисполнители |
—
|
| Типы НИОКТР |
Фундаментальное исследование
|
| Приоритетные направления |
—
|
| Критические технологии |
—
|
| Рубрикатор |
29.19.16 - Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
| Регистрационные номера |
ikrbs: {'card_list': [{'id': 'AJV3XPF36B4ZHZ5YZGZ4VLW8'}]}
|
